1310nm超辐射发光二极管芯片-金沙下载送彩金

lovi的超辐射发光二极管芯片(sled)为1310nm。高性能低极化和低纹波。本设计采用多量子阱有源层脊波导结构，表面涂有增透层。

chip configuration: 

top contact: anode 

bottom contact: cathode 

chip cavity length: 750 (±20) um 

chip width: 250 (±20) um 

thickness: 100 (±12.5) um 

angle: 22 degrees